芯片100%顆粒全檢測
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高溫135°帶載168小時老化
11項參數(shù)檢測
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廣東可易亞半導體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)...
MOS在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(由截止到導通的過渡過程)、導通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導通到截止的過渡過程)、截止狀態(tài)。MOS 主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài),開關(guān)損耗(開通過程和關(guān)斷過程),導通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在 MOS 承受規(guī)格之內(nèi),MOS 即會正常工作,超出承受范圍,即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導通狀態(tài)損耗,不同 MOS 這個
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